电磁波动图集锦-亥姆霍兹方程的均匀平面波解

   亥姆霍兹方程描述了无损耗媒质中时谐电磁场的场量约束关系。均匀平面波是其在最简情况下的一种解。

   当均匀平面波向正z轴传播时,电场强度将垂直于传播方向,可以电场强度方向为x轴。

   仿真计算作图时,媒质参数为:εr=2,μr=1,σ=0

一、电场强度

   电场强度矢量的(相量)表达式为:

E=ˆaxE0ejkz

   下图画出了振幅E0=1,相位常数k=41.97rad/s时,方形区域内的电场强度矢量箭头。同时用着色方式画出了x=0平面、y=0平面上的电场强度大小。

   用二维图表达时,一般仅用着色方式显示分量大小。如xz平面上的电场强度Ex分量如下图。

二、磁场强度

   磁场强度既与传播方向垂直,又与电场强度方向垂直,沿y轴方向。

   磁场强度表达式为:

H=ˆayH0ejkz=ˆayE0ηejkz

   下图画出了电场振幅E0=1,波阻抗η=261.8Ω,相位常数k=41.97rad/s时,方形区域内的磁场强度矢量箭头。同时用着色方式画出了x=0平面、y=0平面上的磁场强度Hy大小。

   用二维图表达时,一般仅用着色方式显示分量大小。如xz平面上的电场强度Hy分量如下图。

电磁波动图集锦-电磁波在媒质界面垂直入射

   用COMSOL多物理场仿真软件制作的电磁场与电磁波演示动画。本篇仿真TEM线极化电磁波在两媒质界面垂直入射时的反射、透射。

   仿真场景图示:

   线极化TEM电磁波,可依入射面分解为TE(横电)、TM(横磁)成分。在理论处理及仿真计算时,对TE、TM极化分别处理。

   如果是垂直入射,TE,TM实际上没有区分。但为了与其他情形对应,还是分别按TE、TM计算、作图。

一、TE入射波,理想介质到理想介质的垂直入射

   0度入射角,3GHzε1=1,ε2=2

   电场,只有z分量:

   磁场,没有z分量,在xy平面,因垂直入射,仅有x分量,此时,上下两层中,都是TEM波。

二、TE入射波,理想介质到损耗介质的垂直入射

   0度入射角,3GHzε1=1,ε2=20.8i

   电场,只有z分量:

   磁场,没有z分量,在xy平面,因垂直入射,仅有x分量,此时,上下两层中,都是TEM波。

三、TE入射波,理想介质到导体的垂直入射

   0度入射角,3GHzε1=1,ε2=2,σ2=1×107

   电场,只有z分量:

   磁场,没有z分量,在xy平面,因垂直入射,仅有x分量,此时,是TEM波。

四、TM入射波

   TM入射时,磁场仅有z分量,电场有x分量。以下仅给出磁场z分量图。

1.理想介质到理想介质的垂直入射

2.理想介质到损耗介质的垂直入射

3.理想介质到导体的垂直入射